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     當(dāng)前位置:首頁(yè)
當(dāng)前位置:首頁(yè) 產(chǎn)品中心
產(chǎn)品中心 光電探測(cè)器
光電探測(cè)器 砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb
砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb 2-5.5μm紅外兩級(jí)TE冷卻InAs光伏探測(cè)器
2-5.5μm紅外兩級(jí)TE冷卻InAs光伏探測(cè)器
 
                    
2-5.5μm紅外兩級(jí)TE冷卻InAs光伏探測(cè)器
 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
                  product
產(chǎn)品分類| 品牌 | 其他品牌 | 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 | 
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,能源,建材,電子 | 
PVA-2TE系列是基于InAs 1-x Sb x合金的兩級(jí)TE冷卻紅外光伏探測(cè)器。該設(shè)備具有高達(dá)300℃的溫度穩(wěn)定性以及高機(jī)械耐用,且不含汞和鎘,符合RoHS指標(biāo)要求。帶有3°楔形藍(lán)寶石(wAl2O3)窗口防止不必要的干擾影響。
● 可探測(cè)紅外波長(zhǎng)范圍2-5.5μm
● 采用兩級(jí)TE冷卻有效提高探測(cè)效率
● 可配專用前置放大器
● 高溫度穩(wěn)定性與機(jī)械耐久性
TO8型封裝外形尺寸圖


2TE-TO8引腳定義
| 功能 | PIN號(hào) | 
| 探測(cè)器 | 1,3 | 
| 反向偏壓(可選) | 1(-),3(+) | 
| 熱敏電阻 | 7,9 | 
| TE冷卻器供應(yīng) | 2(+),8(-) | 
| 底板接地 | 11 | 
| 未使用 | 4,5,6,10,12 | 
● 醫(yī)學(xué)熱成像
● 紅外光譜分析
● 中紅外激光探測(cè)
| 參數(shù) | 探測(cè)器型號(hào) | |
| PVA-2TE-3 | PVA-2TE-5 | |
| 有源元件材料 | 外延InAs異質(zhì)結(jié)構(gòu) | 外延InAsSb異質(zhì)結(jié)構(gòu) | 
| 起始波長(zhǎng)λcut-on (10%), μm | 2.1±0.2 | 2.4±0.2 | 
| 峰值波長(zhǎng)λpeak(μm) | 2.9±0.3 | 4.7±0.3 | 
| 截止波長(zhǎng)λcut-off (10%), μm | 3.4±0.2 | 5.5±0.2 | 
| 相對(duì)響應(yīng)強(qiáng)度D* (λpeak),cm·Hz1/2/W | ≥5×1010 | ≥4×109 | 
| 電流響應(yīng)度Ri(λpeak),A/W | ≥1.3 | ≥1.5 | 
| 時(shí)間常數(shù)T,ns | ≤15 | ≤20 | 
| 電阻R,Ω | ≥200K | ≥1K | 
| 元件工作溫度Tdet,K | ~230 | |
| 感光面尺寸A,mm×mm | 0.1×0.1 | |
| 封裝 | TO8 | |
| 接收角Φ | ~70° | |
| 窗口 | wAl2O3 | |
探測(cè)器光譜響應(yīng)特性曲線

熱敏電阻特性曲線

兩級(jí)TE冷卻參數(shù)表
| 參量 | 數(shù)值 | 
| Tdet , K | ~230 | 
| Vmax , V | 1.3 | 
| Imax , A | 1.2 | 
| Qmax , W | 0.36 | 
抗反射涂層窗口光譜透過(guò)率曲線
