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產(chǎn)品中心
光電探測器
MCT碲鎘汞探測器
2-12um , MCT中紅外三級TE冷卻光浸式光電探測器 PVI-3TE系列
                    
2-12um , MCT中紅外三級TE冷卻光浸式光電探測器 PVI-3TE系列
產(chǎn)品簡介
                  product
產(chǎn)品分類| 品牌 | 其他品牌 | 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 | 
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,能源,建材/家具,電子/電池 | 
2-12um , MCT中紅外三級TE冷卻光浸式光電探測器 PVI-3TE系列
PVI-3TE系列是基于復(fù)雜的HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)的三級熱電冷卻紅外光電探測器,具有優(yōu)秀的性能和穩(wěn)定性,同時(shí)采用光學(xué)浸入來改善器件的參數(shù)。探測器在λopt時(shí)具有他本身的最佳性能。切割波長可根據(jù)需要進(jìn)行優(yōu)化。反向偏置電壓可以顯著提高響應(yīng)速度和動(dòng)態(tài)范圍以及高頻下的性能,但偏置器件中出現(xiàn)的1/f噪聲可能會(huì)降低低頻下的性能。3°楔狀藍(lán)寶石(wAl2O3)或硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗口可防止不必要的干擾影響。
產(chǎn)品特點(diǎn)
● 含有三級TE制冷以提高探測器性能
● 可探測中紅外波長范圍2-12μm
● 可配專用前置放大器
● 1mm×1mm大尺寸光敏面
● 帶有抗反射涂層窗口鏡
● 帶有超半球微型砷化鎵透鏡實(shí)現(xiàn)光學(xué)浸沒,有效提升探測效率
產(chǎn)品應(yīng)用
● 醫(yī)學(xué)熱成像
● 紅外光譜分析
● 中紅外氣體吸收檢測
● 中紅外激光探測
參數(shù)  | 探測器型號  | ||||||
PVI-3TE-3  | PVI-3TE-3.4  | PVI-3TE-4  | PVI-3TE-5  | PVI-3TE-6  | PVI-3TE-8  | PVI-3TE-10.6  | |
有源元件材料  | 外延MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)  | ||||||
最佳波長λopt,μm  | 3  | 3.4  | 4  | 5  | 6  | 8  | 10.6  | 
探測靈敏度D*(λpeak),cm·Hz?/w  | ≥9×1011  | ≥7×1011  | ≥5×1011  | ≥1×1011  | ≥6×1010  | ≥5×109  | ≥3×109  | 
探測靈敏度D*(λopt),cm·Hz?/W  | ≥7×1011  | ≥5×1011  | ≥3×1011  | ≥8×1010  | ≥3×1010  | ≥3×109  | ≥1.5×109  | 
電流響應(yīng)度Ri(λopt),A/W  | ≥0.5  | ≥0.8  | ≥1.0  | ≥1.3  | ≥1.5  | ≥1.0  | ≥0.7  | 
時(shí)間常數(shù)T,ns  | ≤280  | ≤200  | ≤100  | ≤80  | ≤50  | ≤45  | ≤10  | 
電阻-感光元件面積乘積R·AO,Ω·cm2  | ≥24000  | ≥1500  | ≥600  | ≥30  | ≥2.5  | ≥0.04  | ≥0.02  | 
有源元件溫度Tdet,K  | ~210  | ||||||
感光面面積AO,mm×mm  | 0.5×0.5,1×1  | 0.05×0.05  | |||||
封裝  | TO8,TO66  | ||||||
接收角Φ  | ~36°  | ||||||
窗口  | wAl2O3  | wZnSeAR  | |||||
TO8型封裝外形尺寸圖


參量  | 數(shù)值  | |
浸沒微型透鏡形狀  | 超半球形  | |
光學(xué)區(qū)域面積AO;mm×mm  | 0.5×0.5  | 1×1  | 
R,mm  | 0.5  | 0.8  | 
A,mm  | 5.7±0.35  | 4.8±0.35  | 
備注:
?—接收角度;
R—超半球微型透鏡半徑
A—3TE-TO8型封裝頂部下表面與焦平面的距離
2TE-TO8引腳定義
功能  | PIN號  | 
探測器  | 1,3  | 
反向偏壓(可選)  | 1(-),3(+)  | 
熱敏電阻  | 7,9  | 
TE冷卻器供應(yīng)  | 2(+),8(-)  | 
底板接地  | 11  | 
未使用  | 4,5,6,10,12  | 
3TE-TO66封裝尺寸圖

參量  | 數(shù)值  | |
浸沒微型透鏡形狀  | 超半球形  | |
光學(xué)區(qū)域面積AO;mm×mm  | 0.5×0.5  | 1×1  | 
R,mm  | 0.5  | 0.8  | 
A,mm  | 6.75±0.35  | 5.85±0.35  | 
備注:
?—接收角度;
R—超半球微型透鏡半徑
A—3TE-TO66型封裝頂部下表面與焦平面的距離
TO66引腳定義
功能  | PIN號  | 
探測器  | 7,8  | 
反向偏壓(可選)  | 7(-),8(+)  | 
熱敏電阻  | 5,6  | 
TE冷卻器供應(yīng)  | 1(+),9(-)  | 
未使用  | 2,3,4  | 
探測器光譜響應(yīng)特性曲線

熱敏電阻特性曲線

兩級TE冷卻參數(shù)表
參量  | 數(shù)值  | 
Tdet , K  | ~210  | 
Vmax , V  | 3.6  | 
Imax , A  | 0.35  | 
Qmax , W  | 0.27  | 
抗反射涂層窗口光譜透過率曲線

2-12um , MCT中紅外三級TE冷卻光浸式光電探測器 PVI-3TE系列