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產(chǎn)品中心光電探測器Si硅光電二極管1064nm 四象限Si光電探測器(N型硅象限 光敏面直徑 10mm,直流響應度 0.3A/W)
1064nm 四象限Si光電探測器(N型硅象限 光敏面直徑 10mm,直流響應度 0.3A/W)
產(chǎn)品簡介
product
產(chǎn)品分類| 品牌 | 其他品牌 | 產(chǎn)地類別 | 進口 |
|---|---|---|---|
| 應用領域 | 化工,能源,建材,電子 |
1064nm 四象限Si光電探測器(N型硅象限 光敏面直徑 10mm,直流響應度 0.3A/W)
器件是N型硅象限探測器，當光輻射到器件各個象限的輻射通量相等時，則各個象限輸出的光電流相等。而當目標發(fā)生偏移時，由于象限間輻射通量的變化，引起各個象限的輸出光電流的變化，由此可測出物體的方位，從而起到跟蹤、制導的作用。
特性參數(shù) | 符號 | 測試條件 （除另有規(guī)定外，TA=22℃±3℃） | 參數(shù)值 | 單 位 | ||
最小值 | 最大值 | |||||
響應度(交流)(象限) | Spi | λ=1.064μm VR=135 V | 脈寬20 ns、Pin=2 mW | 0.25 | — | A/W |
響應度(直流)(象限) | Rei | 直流、Pin=1μw | 0.30 | — | ||
響應度變化量(直流) (象限)a 響應度變化量(交流) (象限)a | ΔRei | TA=-45 ℃±2 ℃ | — | 50 | % | |
暗電流(象限) | IDi | VR=135V Pin=0μw | TA=22℃±3℃ | — | 1 | μA |
TA=70℃±3℃ | — | 10 | ||||
暗電流(環(huán)) | ID | TA=22℃±3℃ | — | 10 | ||
TA=70℃±3℃ | — | 100 | ||||
結(jié)電容（象限） | Cji | VR=135V，f=1MHz | — | 15 | pF | |
光敏面直徑 | φ | 10 | 16 | mm | ||
等效噪聲功率 | NEPi | λ=1.064 μm，VR=135 V ,脈寬20 ns | — | 5×10-12 | W/HZ1/2 | |
擊穿電壓（象限、環(huán)） | VBR | IR=10μA | 200 | — | V | |
象元間靈敏度非均勻性 | Rf | λ=1.064 μm，VR=135 V ，脈寬20 ns；Pin=2mW | — | 5 | % | |
象元內(nèi)靈敏度非均勻性 | Rfn | λ=1.064 μm，VR=135 V ，脈寬20 ns；Pin=2mW | — | 5 | % | |
象元間竄擾因子 | SLi | λ=1.064 μm，VR=135 V ，脈寬20 ns；Pin=2mW | — | 5 | % | |
● 標低暗電流
● 高均勻性、高對稱性
● 高可靠性
● 盲區(qū)小
外形結(jié)構
TO型氣密性封裝。外形結(jié)構見圖1，外形尺寸見表1。
表1、外形尺寸（單位為毫米）
尺寸符號 | φD1 | ΦD2 | ΦD3 | ΦD4 | ΦD5 | Φd | A | L1 | L2 | L3 | e |
最小值 | 30.55 | 27.80 | 3.00 | 27.915 | 22.60 | 0.98 | 7.03 | 3.02 | 1.85 | 2.70 | 18.00 |
最大值 | 30.65 | 28.00 | 3.06 | 27.94 | 23.40 | 1.02 | 7.20 | 3.10 | 1.95 | 3.00 | 18.05 |
引出端排列
器件的引出端排列見圖2，引出端功能應符合表2的規(guī)定。
表2、引出端功能表
管腳 | 功能 | 電壓極性 |
1 | 象限1 | 正 |
2 | 公共P極 | 負 |
3 | 象限4 | 正 |
4 | 環(huán)極 | 正 |
5 | 象限3 | 正 |
6 | 殼體 | 地 |
7 | 象限2 | 正 |
● 激光瞄準、制導跟蹤及探索裝置
● 激光微定位、位移監(jiān)控等精密測量系統(tǒng)
1064nm 四象限Si光電探測器(N型硅象限 光敏面直徑 16mm,直流響應度 0.3A/W)
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