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當(dāng)前位置:首頁產(chǎn)品中心光電探測器Si硅光電二極管

  • 1064nm 四象限Si光電探測器(N型硅象限 光敏面直徑 10mm,直流響應(yīng)度 0.3A/W)

    1064nm 四象限Si光電探測器(N型硅象限 光敏面直徑 10mm,直流響應(yīng)度 0.3A/W) 器件是N型硅象限探測器,當(dāng)光輻射到器件各個象限的輻射通量相等時,則各個象限輸出的光電流相等。而當(dāng)目標(biāo)發(fā)生偏移時,由于象限間輻射通量的變化,引起各個象限的輸出光電流的變化,由此可測出物體的方位,從而起到跟蹤、制導(dǎo)的作用。

    更新時間:2024-12-06
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  • 1064nm 四象限Si光電探測器( 光敏面直徑 16mm,直流響應(yīng)度 0.3A/W)

    1064nm 四象限Si光電探測器( 光敏面直徑 16mm,直流響應(yīng)度 0.3A/W) 產(chǎn)品應(yīng)用 ● 激光瞄準(zhǔn)、制導(dǎo)跟蹤及探索裝置 ● 激光微定位、位移監(jiān)控等精密測量系統(tǒng)

    更新時間:2024-12-05
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  • 硅 Si 高性能雪崩光電二極管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18

    硅 Si 高性能雪崩光電二極管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18 C30902EH高性能硅雪崩光電二極管(APD)的感光面直徑為0.5 mm,適合于生物醫(yī)學(xué)和分析應(yīng)用。 這種Si APD設(shè)計為雙擴散“穿透式”結(jié)構(gòu),可在400和1000 nm之間提供高響應(yīng)度,以及在所有波長處都極快的上升和下降時間。

    更新時間:2024-12-05
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  • 905nm 硅雪崩光電二極管 400-1100nm (光敏面直徑:0.23mm TO46)

    905nm 硅雪崩光電二極管 400-1100nm (光敏面直徑:0.23mm TO46) 硅雪崩光電二極管,光譜響應(yīng)范圍從可見光到近紅外,峰值響應(yīng)波長905nm。大光敏面,高速響應(yīng),高增益,低噪聲。

    更新時間:2024-12-05
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  • 硅 Si 雪崩光電二極管 905nm (400-1100nm 光敏面直徑0.5mm TO46)

    硅 Si 雪崩光電二極管 905nm (400-1100nm 光敏面直徑0.5mm TO46)硅雪崩光電二極管,光譜響應(yīng)范圍從可見光到近紅外,峰值響應(yīng)波長905nm。大光敏面,高速響應(yīng),高增益,低噪聲。

    更新時間:2024-12-05
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